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              英諾賽科成功導入ASML光刻機

              來源: | 發(fā)布日期:2021-12-08 瀏覽量:

              12月8日,英諾賽科(珠海)科技有限公司為ASML光刻機成功導入8英寸硅基氮化鎵量產線舉辦了慶典。據了解,英諾賽科于2021年引入ASML光刻機,憑借著其卓越的成像性能和獨特的TWINSCAN架構,進一步提升了硅基氮化鎵功率器件制造的產能及產線良率。此次慶典上,ASML副總裁兼中國區(qū)總經理沈波代表ASML被英諾賽科授予“最佳戰(zhàn)略合作伙伴”稱號。

              12.08

              近年來,相較傳統(tǒng)硅材料,氮化鎵和碳化硅等第三代半導體,以其更小尺寸、更高轉換頻率、更高功率密度等特點,逐漸成為了全球半導體產業(yè)的新焦點。此新材料可滿足節(jié)能、減排、智能制造等全球戰(zhàn)略需求。氮化鎵是“第三代半導體”關鍵材料之一,具有廣闊的市場前景,可滲透到包括消費、工業(yè)和汽車類電子應用領域。作為全球領先的8英寸硅基氮化鎵芯片制造商,英諾賽科一直致力于推動第三代半導體制造技術的創(chuàng)新和革命。

              這是一次重大突破,ASML光刻機首次進入8英寸硅基氮化鎵量產線。為了給英諾賽科提供更有力的支持,ASML始終根據其制造需求不斷升級光刻設備ASML光刻機的順利入駐將持續(xù)助力英諾賽科的大規(guī)模量產,為其長期發(fā)展保駕護航。

              ASML深紫外光刻業(yè)務資深副總裁表示:“我們也欣喜地看到ASML TWINSCAN的卓越性能首次在8英寸硅基氮化鎵芯片制造領域得到驗證。我們完全有信心支持英諾賽科未來的持續(xù)增長。”


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